ایندیوم فسفید یک نیمه هادی باینری است که از ایندیم و فسفر تشکیل شده است و به شکل پودر سیاه رنگ موجود است. فسفید ایندیوم همچنین دارای یکی از طولانی ترین فونون های نوری است.از ایندیوم فسفید در الکترونیک با قدرت و فرکانس بالا استفاده می شود و به دلیل سرعت الکترون اش، برتری این ماده نسبت به هادی های نیمه رسانا سیلیکون و آرسنید گالیوم بیشتر است.
ایندیوم فسفید همچنین یک باند گپ مستقیم دارد و این امر برای دستگاه های الکترونیکی مانند دیودهای لیزر مفید است. شرکت اینفینرا از فسفید ایندیوم، به عنوان ماده اصلی فناوری برای ساخت مدارهای فوتونیک یکپارچه برای صنعت ارتباطات از راه دور نوری استفاده می کند تا برنامه های چندگانه سازی تقسیم طول موج را امکان پذیر کند.
فسفید ایندیم، را می توان از واکنش فسفر سفید و یدید ایندیم [نیاز به پاکسازی] در 400 درجه سانتیگراد، همچنین با ترکیب مستقیم عناصر خالص شده در دما و فشار بالا، یا با تجزیه حرارتی مخلوط ترکیب تری کیل ایندیوم و فسفین نیز آماده کرد.از فسفید ایندیوم، برای ساخت نیمه هادی ها، لیزرهای تزریق، سلول های خورشیدی، دیودهای نوری و دیودهای ساطع کننده نور استفاده می شود. کاربردهای ایندیوم فسفید به سه قسمت اصلی تقسیم می شود:
لیزرها و LED های مبتنی بر فسفید ایندیوم، می توانند در دامنه بسیار گسترده 1200 نانومتر تا 12 میکرومتر نور منتشر کنند. از یک طرف، استفاده های طیف سنجی وجود دارد، جایی که برای تعامل با ماده برای تشخیص گازهای بسیار رقیق شده، به یک طول موج خاص نیاز است. همچنین در آنالیزهای طیف سنجی فوق العاده حساس، اندازه گیری ضخامت پلیمرها و تشخیص پوشش های چند لایه در صنعت خودرو استفاده می شود.
کاربردها در الکترونیک پرسرعت
فناوری نیمه هادی امروزی امکان ایجاد و شناسایی فرکانس های بسیار بالا، از 100 گیگاهرتز و بالاتر را فراهم می کند. همچنین کاربردهای خود را در ارتباطات بی سیم پرسرعت داده (رادیو جهت دار)، رادارها (جمع و جور، کم مصرف و با دقت بسیار بالا) و حسگر رادیومتریک پیدا می کنند.
از فسفید ایندیم، برای تحقق میکروالکترونیک پرسرعت استفاده می شود و اینگونه دستگاه های نیمه هادی سریعترین دستگاه های موجود امروز هستند. به طور معمول، میکروالکترونیک در ایندیوم فسفید مبتنی بر ترانزیستورهای تحرک با الکترون بالا (HEMT) یا ترانزیستورهای دو قطبی (HBT) است.
کاربرد های فتوولتائیک
سلول های فتوولتائیک با بالاترین بازده تا 46٪ بسترهای ایندیوم فسفید را برای دستیابی به یک ترکیب با باند گپ بهینه، برای تبدیل کارآمد تابش خورشید به انرژی الکتریکی پیاده سازی می کنند.امروزه فقط زیرلایه های فسفید ایندیم، برای رشد مواد با باند گپ کم مورد نیاز و با کیفیت بلوری بالا به ثابت شبکه دسترسی پیدا می کنند.
گروه های تحقیقاتی در سراسر جهان به دلیل هزینه های بالای این مواد به دنبال جایگزینی هستند.با این حال، تاکنون همه گزینه های دیگر کیفیت مواد پایین تر و از این رو بازده تبدیل کمتری دارند. تحقیقات بیشتر در مورد استفاده مجدد از بستر ایندیوم فسفید به عنوان الگوی تولید سلول های خورشیدی انجام می شود.
|
|
|
|
| نماد اعتماد الکترونیک | نشان ملی ثبت | گواهی شامد ارشاد |
© کلیه حقوق مادی و معنوی این وب سایت متعلق به داده پردازان هومان پویان می باشد.
