مدارهای برش دیودی بایاس شده:
برای تولید مدارهای برش دیودی در سطوح مختلف، مطابق شکل زیر، یک ولتاژ بایاس VBIAS به صورت سری با دیود قرار داده می شود.
ولتاژی که به دو سر ترکیب سری دیود و ولتاژ بایاس (باتری) اعمال می شود، باید بزرگ تر از مقدارVBIAS+0.7 ولت باشد.
برای مثال، اگر سطح ولتاژVBIAS در مقدار4 ولت تنظیم شده باشد، وقتی یک ولتاژ سینوسی را به ترمینال آند متصل کنیم، مقدار آن باید بزرگ تر از4+0.7ولت باشد تا دیود بایاس مستقیم شود. ولتاژهای بالاتر از این مقدار بایاس، توسط مدار بریده می شود.
به طریق مشابه، با برعکس کردن دیود و سری کردن آن با ولتاژ بایاس باتری، وقتی دیود نیم سیکل منفی را هدایت می کند، آن را در ولتاژ−VBIAS−0.7برش می دهد.
می توان یک برش دیودی متغیر را با تغییر ولتاژ بایاس دیودها ساخت. اگر لازم باشد هر دو نیم سیکل مثبت و منفی را ببُریم، باید از دو دیود برش بایاس شده استفاده کنیم. در این حالت، برابر بودن ولتاژ بایاس هر دو دیود ضروری نیست.
برای مثال، ولتاژ بایاس مثبت یکی از دیودها می تواند6 ولت و ولتاژ بایاس منفی دیود دیگر، 6 ولت باشد. شکل زیر این موضوع را نشان می دهد.
وقتی ولتاژ نیم تناوب مثبت به مقدار+4.7 ولت می رسد، دیودD1 هدایت کرده و شکل موج را در+4.7 ولت محدود می کند. دیودD2 تاز زمانی که ولتاژ به−6.7 ولت نرسد، هدایت نمی کند.
بنابراین، همه ولتاژهای مثبت برگتر از+4.7 ولت و ولتاژهای منفی کوچک تر از−6.7 ولت به صورت خودکار محدود می شود.
مزیت مدارهای برش دیودی بایاس شده این است که از عبور سیگنال خروجی از محدوه های مورد نظر در هر دو نیم تناوب مثبت و منفی جلوگیری می کنند.
شکل موج ورودی این مدارها، ممکن است سیگنال یک سنسور دارای نویز یا خروجی مثبت یا منفی یک منبع باشد.
اگر سطوح برش دیود در اندازه بسیار کم تنظیم شده باشد یا شکل موج ورودی بسیار بزرگ باشد، آن گاه حذف هر دو پیک شکل موج می تواند به یک شکل موج مربعی منجر شود.