تعریف وریستور در مدار:
وریستور (Varistor) یک المان نیمه رسانای حالت جامد پسیو (Passive) است که دو ترمینال دارد و برای محافظت از مدارات الکتریکی و الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد.
برخلاف فیوزها (Fuse) و مدارشکن ها (Circuit Breaker) که محافظت از مدار در برابر جریان های بالا را انجام می دهند، وریستورها مانند دیودهای زنر (Zener Diode) محافظت از مدار در برابر ولتاژهای بالا از طریق کلمپ ولتاژ (Voltage-Clamping) را بر عهده دارند.
واژه وریستور ترکیبی از دو کلمه قابل تغییر (VARI-able) و مقاومت (resi-STOR) است که برای توصیف مد کاری آن ها به کار می رود و از اوایل اختراع انتخاب شده است.
اما این واژه اندکی گمراه کننده است، زیرا مقاومت یک وریستور را نمی توان مانند پتانسیومتر (Potentiometer) یا رئوستا (Rheostat) به صورت دستی تغییر داد.
برخلاف یک مقاومت متغیر که مقدار مقاومت آن به صورت دستی بین مقدار بیشینه و کمینه آن تغییر می کند، وریستور مقاومت خود را به صورت اتوماتیک متناسب با تغییر ولتاژ عبوری تغییر می دهد.
بنابراین، یک مقاومت وابسته به ولتاژ غیرخطی یا به اختصار VDR نامیده می شود.
امروزه وریستورها از مواد نیمه رسانا ساخته می شوند، در نتیجه نوعی از مقاومت های نیمه رسانا با مشخصه جریان-ولتاژ متقارن غیراهمی (Non-ohmic Symmetrical Voltage and Current Characteristics) هستند که هم برای کاربرد در ولتاژهای AC و هم ولتاژهای DC مناسب خواهند بود.
وریستورها از بسیاری جنبه ها و حتی اندازه و شکل بسیار شبیه به خازن هستند و گاهی آن ها را به اشتباه مانند یکدیگر می پندارند.
اما خازن نمی تواند یک جهش ولتاژ را آن گونه که وریستور قادر به انجام آن است، سرکوب کند. زمانی که یک ولتاژ بالا به مدار اعمال شود، خروجی همیشه باعث ایجاد بحران در مدار می شود.
بنابراین وریستورها نقش حیاتی در محافظت از ادوات حساس مدارات الکترونیکی در برابر ولتاژهای بالای گذرا و ضربه های پالسی حاصل از کلیدزنی ایفا می کنند.
فراتاخت های گذرا (Transient Surge)، صرف نظر از اینکه با منبع AC یا DC کار می کنند، از مدارات الکتریکی و منابع متنوعی ناشی می شوند، زیرا معمولا یا توسط خود مدار ایجاد شده و یا از منابع خارجی وارد مدار می شوند.
حالت های گذرا در یک مدار می توانند به صورت ناگهانی و بسیار سریع ولتاژ مدار را تا چند هزار ولت بالا ببرند که باید از ورود این جهش ولتاژ به پایه های المان ها و اجزای حساس مدار جلوگیری به عمل آید.
یکی از متداول ترین منابع ایجاد جهش ولتاژ، اثر سلفی است که توسط کلیدزنی سیم پیچ های القایی و جریان های مغناطیس کننده ترانسفورماتور، کلیدزنی موتورهای DC و روشن کردن مدارات لامپ های فلوئورسنت یا سایر منابع فراتاخت به وجود می آید.